"Это один из самых значительных прорывов в области исследования графена", - отметил один из руководителей лаборатории SAIT. По его словам, новый способ получения графена ускорит наступление новой эры в области портативной электроники. Графен значительно превосходит применяемый в современной электронике кремний по ряду полупроводниковых свойств, а новый способ получения этого материала позволит в полной мере использовать эти преимущества.
Ученые пока не раскрывают подробностей своего открытия, отмечая лишь, что им удалось получить кристаллы графена, равные по площади используемым в электронике пластинам кремния. При этом полученные образцы материала обладают всеми привлекательными свойствами графена.
Напомним, графен представляет собой одиночный слой атомов углерода, соединенных между собой структурой химических связей, напоминающих по своей геометрии структуру пчелиных сот. Материал отличается чрезвычайной прочностью при толщине в один атом. Графен был открыт в 2004 году выходцами из России Константином Новоселовым и Андреем Геймом, за свое открытие они были удостоены Нобелевской премии.
Графен все чаще предлагается использовать в самых различных сферах, например для изготовления контактных линз ночного видения, умной одежды или эффективных фильтров для воды.