Исследовательский центр Уотсона компании IBM показал самый мощный на сегодняшний день графеновый транзистор с рекордным быстродействием и расширенным диапазоном рабочих температур, сообщает iXBT.com.
Немногим более года назад сотрудникам этого центра удалось создать радиочастотный графеновый транзистор с частотой среза 100 ГГц, установив рекорд в этой области. Новый транзистор, созданный ими, работает на частоте 155 ГГц.
Более того, новый транзистор оказался еще и самым маленьким среди графеновых транзисторов, созданных к настоящему моменту в лабораториях IBM. Длина затвора равна 40 нм. Для сравнения: затвор графенового транзистора, работавшего на частоте 100 ГГц, был на 200 нм больше.
Разработка выполнена в рамках проекта по созданию высокопроизводительных радиочастотных транзисторов, финансируемого DARPA - агентством, занимающимся разработкой передовых технологий для американских вооруженных сил.
Графен, напомним, это углеродная пленка толщиной в один атом. Ее называют двумерной, потому что, в отличие от обычного трехмерного кристалла, положение каждого ее узла описывается не тремя, а только двумя координатами. Графен обладает высокой прочностью, он прозрачен в силу своей чрезвычайно малой толщины и является прекрасным проводником электрического тока, что делает его очень привлекательными для использования в качестве прозрачных электродов солнечных батарей или сенсорных дисплеев.
Использование в микроэлектронике считается одним из самых перспективным способом использования этого материала.
Графен, правда, еще не готов прописаться в серийных микросхемах, однако в будущем, как полагают, графеновые транзисторы прекрасно подойдут для использования не только в боевых машинах, создаваемых в DARPA, но и в беспроводной электронике, сетевых устройствах и графических электронных устройствах, таких как фотоаппараты, видеокамеры или сканеры.